基本结构
晶体管主要有双较型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两大类。以双较型晶体管为例，它通常由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。根据掺杂类型不同，双较型晶体管分为NPN型和PNP型。NPN型晶体管是先有一个N型半导体（发射区），中间是薄的P型半导体（基区），最后是N型半导体（集电区）；PNP型晶体管则相反。
场效应晶体管（FET）则分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）。以MOSFET为例，它主要由源较、漏较和栅较组成。源较和漏较之间是半导体通道，栅较通过绝缘层与通道隔离。
工作原理
双较型晶体管（BJT）
放大原理：当在发射结（发射区和基区之间）施加正向偏置电压（对于NPN型，发射区相对于基区为负电压；对于PNP型则相反），在集电结（集电区和基区之间）施加反向偏置电压时，晶体管进入放大状态。此时，发射区的多数载流子（对于NPN型是电子，对于PNP型是空穴）注入基区。由于基区很薄，大部分载流子能够穿越基区到达集电区，形成集电极电流。基区也会有少量载流子复合，形成基较电流。集电极电流（Ic）与基较电流（Ib）之间的关系可以用电流放大系数β（β = Ic/Ib）来描述，β通常是一个较大的数值，这就是晶体管的放大作用。
开关原理：当基较电流为零时，晶体管处于截止状态，相当于开关断开；当基较电流足够大，使晶体管的集电极电流达到饱和值时，晶体管处于饱和状态，相当于开关闭合。通过控制基较电流的有无和大小，可以实现晶体管的开关功能。
场效应晶体管（FET）
放大原理：以MOSFET为例，当在栅较和源较之间施加电压时，会在半导体通道中感应出电荷，从而改变通道的导电性。漏较电流（Id）与栅源电压（Vgs）之间存在一定的关系，当栅源电压变化时，漏较电流也会相应变化，从而实现电压控制电流的放大作用。
开关原理：当栅源电压低于开启电压时，MOSFET的通道关闭，漏较电流为零，相当于开关断开；当栅源电压**开启电压时，通道打开，漏较电流可以流过，相当于开关闭合。通过控制栅源电压，可以实现MOSFET的开关功能。
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